[发明专利]高效率底部填充方法在审
| 申请号： | 202011528624.2 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112635336A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 郑怀;刘洁;苏振鹏;刘胜 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 程力 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高效率底部填充方法，S1、填充前，对于导电基板，则在四周远离芯片的位置制作绝缘区域，对于绝缘基板，则在四周靠近芯片的位置制作导电区域；S2、填充时，点胶机布胶，开启电晕放电装置产生离子风，离子风持续驱动底部填充胶铺展，在铺展过程中，对于导电基板，绝缘区域防止底部填充胶流出填充区域，对于绝缘基板，离子风定向驱动底部填充胶向导电区域运动，铺展后，底部填充胶在毛细力作用下充满填充区域；S3、填充后，关闭电晕放电装置，固化底部填充胶。本方法填充效率高、填充精度高、流程简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 高效率 底部 填充 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学，未经武汉大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011528624.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
