[发明专利]约瑟夫森结及其超导器件与制备方法有效
| 申请号： | 202011518329.9 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112670401B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 应利良;张雪;任洁;王镇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L39/02 | 分类号： | H01L39/02;H01L39/22;H01L39/24 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 钱文斌 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种约瑟夫森结、超导器件及制备方法，约瑟夫森结制备包括：在衬底上形成第一超导材料层、势垒材料层、第二超导材料层；刻蚀第二超导材料层形成上电极；在势垒材料层上沉积绝缘材料，然后刻蚀掉，紧接着刻蚀势垒层；最后刻蚀第一超导材料层，得到下电极。本发明在刻蚀势垒层之前，先沉积一层绝缘材料，基于同一掩膜层先刻蚀绝缘材料，不去除光刻胶，接着进行势垒层的刻蚀，很好的保护了势垒层，避免了势垒层与显影液反应生成黑色反应物。先沉积的绝缘层还可以提升后沉积的绝缘层的绝缘效果，减小漏电流，并且可以实现同质生长，两者不存在明显界面，对后续工艺无影响，可以提升超导电路的性能和稳定性，以及整体超导电路的工作范围。 | ||
| 搜索关键词： | 约瑟夫 及其 超导 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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