[发明专利]一种用于检测直拉单晶生长过程中熔硅液面距离的装置及方法在审
| 申请号： | 202011515946.3 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112725884A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 陈正;赵李新;陈强;樊宇;王汝江;刘雨雨;徐杰;张平;吴亚娟;郑加镇 | 申请（专利权）人： | 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司;中国矿业大学 |
| 主分类号： | C30B15/26 | 分类号： | C30B15/26;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈国强 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于检测直拉单晶生长过程中熔硅液面距离的装置及方法，该装置包括石英销和热屏，所述石英销包括水平部分和主体部分，水平部分设置于主体部分上方，并互相垂直，构成“T”字型，主体部分的外立面上设置有反光材料；所述热屏包括导流筒，导流筒底部开设有台阶式通孔，台阶式通孔由第一通孔和第二通孔组成，所述石英销的主体部分穿过第二通孔，并伸出于导流筒底部之下，石英销的水平部分置于第一通孔之中；石英销的主体部分垂直向下伸出导流筒的下沿以作为测量距离的标尺。本发明采用倒影法，由于直拉单晶炉内热屏内边缘在硅熔液液面上产生倒影，倒影法则利用相机采集液面上的倒影，进而检测熔硅液面位置倒影边缘在图像中的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 检测 直拉单晶 生长 过程 中熔硅 液面 距离 装置 方法 | ||
【主权项】：
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