[发明专利]一种高效单晶硅SE-PERC电池片的制备方法有效
申请号: | 202011505956.9 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN112635590B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 王贵梅;张志敏;刘苗 | 申请(专利权)人: | 晶澳太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/06;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人: | 张一帆 |
地址: | 055550 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开一种高效单晶硅SE‑PERC电池片的制备方法,包括选取原料硅片、制绒、扩散、激光掺杂、去磷硅玻璃、沉积钝化膜、沉积钝化减反射膜、背面激光开槽、丝网印刷和烧结的步骤;其中,所述原料硅片为通过线切方法制备而成的硅片,设定所述硅片上具有的切割线纹为X向,则在所述去磷硅玻璃步骤中控制所述硅片的输送方向为Y向,所述Y向与所述X向呈夹角设置。本发明提供的制备方法可以有效提高电池片的整体转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 单晶硅 se perc 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的