[发明专利]一种芯片SRAM拼接方法、装置、电子设备和存储介质在审
| 申请号： | 202011495616.2 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112668260A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李文军 | 申请（专利权）人： | 北京物芯科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F30/32 | 分类号： | G06F30/32 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100013 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种芯片SRAM拼接方法、装置、电子设备和存储介质，方法包括：获取SRAM拼接的性能参数列表，其中，性能参数列表中包含每个目标SRAM的第一属性信息以及与每个目标SRAM所对应的待拼接子SRAM的第二属性信息；根据性能参数列表确定每个目标SRAM的拼接方式，其中，拼接方式包括深度拼接、宽度拼接以及深度和宽度拼接；按照拼接方式对待拼接子SRAM进行拼接获得每个目标SRAM。通过提前获取SRAM拼接的性能参数列表，并根据性能参数列表可以同时对多个目标SRAM进行自动拼接，而无需用户针对每个需求指令分别编写相应的代码以实现拼接，从而减少了用户的工作量，由于采用自动拼接因此相应的减少了芯片设计的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 sram 拼接 方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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