[发明专利]一种降低多壁碳纳米管结构缺陷的中子辐照处理方法有效

专利信息
申请号: 202011487962.6 申请日: 2020-12-16
公开(公告)号: CN112456472B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 王娟;朱浩;刘洋 申请(专利权)人: 西京学院
主分类号: C01B32/168 分类号: C01B32/168;C01B32/21
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 赵浩竹
地址: 710100 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种降低多壁碳纳米管结构缺陷的中子辐照处理方法,该方法包含:采用能量为14MeV的快中子射线,中子通量为1×108,中子辐照多壁碳纳米管,以降低多壁碳纳米管的结构缺陷。本发明的处理方法利用低能量的快中子射线改善多壁碳纳米管的结构缺陷,通过D‑T中子管发射出的14MeV,通量为1×108的快中子射线,辐照多壁碳纳米管60~120min,可减少多壁碳纳米管的结构缺陷,提高多壁碳纳米管的石墨化程度和结构质量。
搜索关键词: 一种 降低 多壁碳 纳米 结构 缺陷 中子 辐照 处理 方法
【主权项】:
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