[发明专利]一种基于自旋滤波的太赫兹发射器及其制备方法有效
申请号: | 202011477529.4 | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN112563864B | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 金钻明;朱亦鸣;彭滟;庄松林 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
主分类号: | H01S1/02 | 分类号: | H01S1/02 |
代理公司: | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人: | 王文娟 |
地址: | 200093 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于自旋滤波的太赫兹发射器及其制备方法,包括衬底基片、设置于所述衬底基片上的铁磁层、设置于所述铁磁层上的自旋滤波层、设置于所述自旋滤波层上的非磁层及设置于所述非磁层上的覆盖层,所述铁磁层、自旋滤波层及非磁层构成异质结。根据本发明,太赫兹发射器制备工艺相对简单、成本低、不包括任何刻蚀步骤,只需在多种衬底上沉积均匀的薄层,能够实现太赫兹辐射源的小型化和集成化。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 自旋 滤波 赫兹 发射器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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