[发明专利]高压DMOS晶体管在审
| 申请号： | 202011460085.3 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112993038A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | E·J·考尼;A·布兰尼克;J·P·玛史凯尔 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体国际无限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供横向n沟道LDMOS晶体管的改进结构以避免在晶体管工作期间发生的栅极‑氧化物破裂。LDMOS晶体管包括电介质隔离结构，该电介质隔离结构将包括寄生NPN晶体管的区域与由于弱影响电离而产生空穴电流的区域(即LDMOS晶体管的扩展漏极区域)物理隔离。根据本公开的实施方案，这可以使用两个区域之间的垂直沟槽来实现。还提出进一步的实施方案以使得减小寄生NPN晶体管的增益和减小背栅电阻，以便进一步提高LDMOS晶体管的鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 dmos 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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