[发明专利]新型3D NAND存储器件及形成其的方法有效
| 申请号： | 202011459262.6 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN112510052B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 吴振勇;金允哲 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/41;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/27;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张殿慧;刘健 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 新型3D NAND存储器件及形成其的方法。提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括第一衬底，所述第一衬底具有用于形成存储单元的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧。所述半导体器件还包括掺杂区域和第一连接结构。所述掺杂区域形成在所述第一衬底的所述第一侧中并且电耦合到晶体管的至少源极端子(例如，串联连接的多个晶体管的末端晶体管的源极端子)。第一连接结构被形成在所述第一衬底的所述第二侧之上并且通过第一过孔耦合到所述掺杂区域。所述第一过孔从所述第一衬底的所述第二侧延伸到所述掺杂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 nand 存储 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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