[发明专利]一种高性能（VNbTaMoW）C高熵碳化物陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 202011448224.0 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112441837A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 李赛赛;常兵;李明晖;陈若愚;高青青 | 申请（专利权）人： | 安徽工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司： | 合肥顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34120 | 代理人： | 徐文恭 |
| 地址： | 243002 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于高熵陶瓷技术领域，尤其涉及一种高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷及其制备方法，该制备方法包括：按设计组分，称取五氧化二钒微粉、五氧化二铌微粉、五氧化二钽微粉、三氧化钼微粉、三氧化二钨微粉和活性碳微球作为原料；采用无水乙醇为介质，对原料进行球磨，干燥后得到成分均匀的混合物；将混合物进行热压烧结，制备高熵碳化物陶瓷。本发明采用活性碳微球作为碳源，具有生产成本低、制备工艺简单等优点，且碳微球良好的分散性及高活性等均有利于其在基质中的分散及还原反应的进行；使用该方法所制备的高熵碳化物陶瓷具有良好的力学性能、高致密度、高纯度及低导热等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 vnbtamow 碳化物 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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