[发明专利]基于负电容效应的碳基场效应晶体管传感器有效
| 申请号： | 202011447171.0 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112697843B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘逸为;曹觉先;张志勇;赵为 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 南京行高知识产权代理有限公司 32404 | 代理人： | 王培松;王菊花 |
| 地址： | 411105 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于负电容效应的碳基场效应晶体管传感器，包括：位于底层的栅极；位于栅极的一侧的底栅介质层；位于底栅介质层背离栅极一侧表面的碳纳米管沟道层；位于碳纳米管沟道层背离底栅介质层一侧表面的顶栅介质层；位于顶栅介质层背离碳纳米管沟道层一侧表面的铁电材料层、源极与漏极，铁电材料层设置在源极与漏极之间、并与源极与漏极分别电连接；以及位于铁电材料层背离顶栅介质层一侧表面的敏感层，敏感层作为传感器探针，被设置成包括用于探测待测对象的敏感材料；其中，铁电材料层被设置成通过底层的栅极施加外部电场至铁电材料的矫顽电压区间，使得铁电材料工作在负电容效应区间，提高低浓度检测的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电容 效应 场效应 晶体管 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学，未经湘潭大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011447171.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
