[发明专利]光刻曝光方法在审
| 申请号： | 202011445044.7 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114624968A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 刘涛 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻曝光方法，包括：1)在衬底上形成光刻胶层；2)采用投影式曝光机台对光刻胶层进行光刻处理，形成对位图形；3)将衬底移至接触式曝光机台，并基于对位图形，使接触式曝光机台上的光掩模与衬底进行对位，保存此时光掩模的坐标与衬底上的对位图形的坐标；4)将接触式曝光机台切换至不对位模式，通过上述的光掩模的坐标将光掩模及光掩模夹具的位置固定并保持不变，通过上述对位图形的坐标将衬底卡盘的位置固定并保持不变，依次将需要曝光的晶圆放入衬底卡盘中进行曝光处理。本发明可以有效解决接触式曝光机台前层曝光存在OVL偏移及旋转偏移问题，使得后续的投影式曝光提供较高的可能性及精度，大大提升了工艺能力。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 曝光 方法 | ||
【主权项】：
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