[发明专利]光刻曝光方法

权利要求书

1.一种光刻曝光方法，其特征在于，所述光刻曝光方法包括以下步骤：

1)提供衬底，在所述衬底上形成光刻胶层；

2)基于预定的对位图形，采用投影式曝光机台对所述光刻胶层进行光刻处理，以在所述衬底的特定坐标上形成对位图形；

3)将所述衬底移至接触式曝光机台，并基于所述对位图形，使所述接触式曝光机台上的光掩模与所述衬底进行对位，保存所述此时所述光掩模的坐标与所述衬底上的对位图形的坐标；

4)将所述接触式曝光机台切换至不对位模式，通过上述保存的光掩模的坐标将光掩模及光掩模夹具的位置固定并保持不变，通过上述对位图形的坐标将衬底卡盘的位置固定并保持不变，依次将需要曝光的晶圆放入所述衬底卡盘中进行曝光处理。

2.根据权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于：步骤2)中，所述对位图形的个数为1个，且所述对位图形位于所述衬底的圆心。

3.根据权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于：步骤2)中，所述对位图形的个数为2个以上。

4.根据权利要求3所述的光刻曝光方法，其特征在于：所述对位图形的个数为2个，对称分布于所述衬底直径方向上。

5.根据权利要求3所述的光刻曝光方法，其特征在于：所述对位图形的个数为4个，呈矩形或梯形分布于所述衬底上。

6.根据权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于：所述对位图形的形状为矩形。

7.根据权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于：步骤3)所述光掩模与步骤4)中对所述需要曝光的晶圆进行曝光时所用的光掩模为同一光掩模。

8.根据权利要求7所述的光刻曝光方法，其特征在于：步骤2)形成的所述对位图形为步骤3)及步骤4)中所述光掩模的上的特定位置上的图形。

9.根据权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于：步骤3)还包括：基于所述光掩模的坐标，获得光掩模夹具的位置信息并进行保存，基于所述对位图形的坐标，获得衬底卡盘的位置信息并进行保存。

10.根据权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于：步骤3)之后还包括将具有对位图形的所述衬底进行保存的步骤，以用于后续的对位。