[发明专利]一种硫掺杂含氧空位的三氧化钼材料以及电化学还原处理氯霉素的方法

摘要

本发明提供了一种电化学还原处理氯霉素的方法，包括以下步骤：S1)制备硫掺杂含氧空位的三氧化钼材料：以钼粉为原料，过氧化氢为氧化剂，在乙醇溶剂中高压反应合成片层状含氧空位三氧化钼材料；以硫粉为硫源，与上述片层状含氧空位三氧化钼材料混合，进行高温气相沉积，得到S‑MoO3‑x；S2)将S‑MoO3‑x均匀负载于碳纸表面，得到硫掺杂含氧空位三氧化钼电极：S3)以硫掺杂含氧空位三氧化钼电极作为阴极，在含氯霉素电解液中进行电化学脱氯反应。本发明通过引入氧空位和硫元素，得到硫掺杂氧空位三氧化钼材料，实现了短时间内达到脱氯脱毒的效果，且其适用的pH范围较宽。