[发明专利]一种匀化平面型光导开关电场的外导体电极结构及光导开关器件和方法有效
申请号: | 202011433128.9 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN112563345B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 胡龙;孙岳;朱莉;李昕;杨向红;党鑫;李永东 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/024 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 范巍 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种匀化平面型光导开关电场的外导体电极结构及光导开关器件和方法,属于脉冲功率技术领域,该外导体电极结构由金属立方体块材构成,在该金属立方体块材表面镀有至少一层金属镀层,且该外导体电极结构的上侧边缘和下侧边缘分别形成倒角结构,有效地降低器件电极边缘的电场强度,在显著增强器件耐压能力的同时,抑制电极边缘损伤的出现,从而提升器件工作时的可靠性和寿命。与此同时,外导体凭借其良好的导热性,能够将器件连续工作时在电极边缘生成的热量快速转移,避免热损伤的出现。 | ||
搜索关键词: | 一种 平面 型光导 开关 电场 导体 电极 结构 器件 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的