[发明专利]一种基于DNT-Ph-Br的界面钝化层钙钛矿太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于DNT‑Ph‑Br的界面钝化层钙钛矿太阳能电池及其制备方法新型含Br离子p型半导体材料为一种高空穴迁移率的小分子材料，具有合成简单，成本低廉，迁移率高等特点，能够作为良好的钝化剂从而钝化钙钛矿中的电子空穴缺陷，进而提高界面处的激子传输效率；使用的DNT‑Ph‑Br材料由于在端基上增加了Br基团，从而能够对钙钛矿中的卤素离子空位进行钝化，进而促进离子交换，使得钙钛矿形成的晶粒更加致密，晶粒尺寸更大，更加有利于载流子在其内部的传输。使用的DNT‑Ph‑Br材料具有较好的空气稳定性及隔绝水氧的能力，将其插入空穴传输层与钙钛矿层中间，能够有限抑制水样分子扩散到钙钛矿层从而使其降解，能够大幅提升钙钛矿太阳能电池的稳定性。