[发明专利]一种具有仿生结构的A/B/Si三元复合硅基光电极及其制备方法有效
| 申请号： | 202011398810.9 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112680748B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 石刚;李新;李赢 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C25B11/052 | 分类号： | C25B11/052;C25B11/059;C25B11/091;C25B1/04;C25B1/55;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种具有仿生结构的A/B/Si三元复合硅基光电极及其制备方法，属于光电催化领域。本发明的电极材料的结构中，若Si为p型半导体，则B为n型金属氧化物半导体，A为析氢助催化剂；若Si为n型半导体，则B为p型金属氧化物半导体，A为析氧助催化剂，通过在金字塔衬底的硅片上原位生长金属氧化物半导体和助催化剂即可制备得到，制备方法简单。且本发明的电极的电催化性能较好，电解3h后，电解水制得的H |
||
| 搜索关键词： | 一种 具有 仿生 结构 si 三元 复合 硅基光 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江南大学，未经江南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011398810.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
