[发明专利]降低凹印银线电极粗糙度的方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202011387914.X 申请日: 2020-12-01
公开(公告)号: CN114361348A 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 王振国;林剑;龚超;闫翎鹏;韩云飞;骆群;马昌期 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/44;H01L51/00;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王锋
地址: 215123 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种降低凹印银线电极粗糙度的方法及其应用。所述降低凹印银线电极粗糙度的方法包括:采用凹版印刷方式制作银线电极,所述银线电极包括银纳米线网络结构;在所述银线电极表面涂布包含功能材料的流体,并至少使所述功能材料填补所述银线电极表面的凹下区域,从而使所述银线电极的表面粗糙度(RMS)降低到5nm以下。本发明可以有效降低凹版印刷银线电极的表面粗糙度,使得银线电极既可以由凹版印刷法直接图案化和大批量制备,又能很好的满足制备高性能柔性有机太阳能电池的要求,有利于后续将柔性有机太阳能电池的整个制备过程整合,实现柔性有机太阳能电池的高效、高质量、低成本的生产。
搜索关键词: 降低 凹印银线 电极 粗糙 方法 及其 应用
【主权项】:
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