[发明专利]基于简化碰撞辐射模型的氩气等离子体电子密度计算方法有效

专利信息
申请号: 202011375390.2 申请日: 2020-11-30
公开(公告)号: CN112464588B 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 邓云坤;田增耀;赵虎;王科;李兴文;赵现平;彭晶;焦琳;赵海波;周年荣 申请(专利权)人: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
主分类号: G06F30/28 分类号: G06F30/28;G06F30/25;G06F113/08;G06F119/14
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 650217 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 本申请提供了一种基于简化碰撞辐射模型的氩气等离子体电子密度计算方法,包括确定氩气等离子体中占主导地位的粒子反应类型;根据所述反应类型,列写2p能级的激发态氩原子的速率平衡方程;简化所述速率平衡方程;根据简化后的所述速率平衡方程,确定谱线强度公式;根据所述谱线强度公式,确定谱线强度比计算公式;确定氩气等离子体电子密度计算公式;对所述电子密度计算公式的参数拟合与计算。通过对氩气等离子体碰撞辐射模型进行简化,将精度不高和缺少的微观参数进行整合,可得到更为准确和可靠的较高气压、低电离度、大面积等离子体电子密度。
搜索关键词: 基于 简化 碰撞 辐射 模型 等离子体 电子密度 计算方法
【主权项】:
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