[发明专利]一种移相器及其制造方法、半导体器件、光通信系统在审
| 申请号： | 202011373403.2 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114583420A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 姚湛史;殷祥;宋小鹿;孙梦蝶 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/18 | 分类号： | H01P1/18;H01P11/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 常忠良 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种移相器及其制造方法、半导体器件、光通信系统，移相器可以包括衬底、第一介质层、第一波导、电光晶体膜层、第二波导、金属电极，其中第一介质层设置于衬底上，第一介质层中设置有第一波导，第一波导的折射率大于第一介质层的折射率，电光晶体膜层设置于第一介质层之上，第二波导可以设置在电光晶体膜层之上，且与第一波导在纵向上正对设置，金属电极可以设置在第二波导两侧，这样第一波导和第二波导在纵向上正对，因此在横向上共同进行了光场的限制，提高了对光场的限制能力，提高了电场和光场的重合效率，提高电光调制效率。同时，电光晶体膜层作为平板结构而无需经过刻蚀，因此可以简化制造工艺，降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 移相器 及其 制造 方法 半导体器件 光通信 系统 | ||
【主权项】：
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