[发明专利]一种移相器及其制造方法、半导体器件、光通信系统在审
申请号: | 202011373403.2 | 申请日: | 2020-11-30 |
公开(公告)号: | CN114583420A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 姚湛史;殷祥;宋小鹿;孙梦蝶 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01P1/18 | 分类号: | H01P1/18;H01P11/00;H01S5/00 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 常忠良 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请公开了一种移相器及其制造方法、半导体器件、光通信系统,移相器可以包括衬底、第一介质层、第一波导、电光晶体膜层、第二波导、金属电极,其中第一介质层设置于衬底上,第一介质层中设置有第一波导,第一波导的折射率大于第一介质层的折射率,电光晶体膜层设置于第一介质层之上,第二波导可以设置在电光晶体膜层之上,且与第一波导在纵向上正对设置,金属电极可以设置在第二波导两侧,这样第一波导和第二波导在纵向上正对,因此在横向上共同进行了光场的限制,提高了对光场的限制能力,提高了电场和光场的重合效率,提高电光调制效率。同时,电光晶体膜层作为平板结构而无需经过刻蚀,因此可以简化制造工艺,降低制造成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 移相器 及其 制造 方法 半导体器件 光通信 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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