[发明专利]一种适用于多主栅搭配大尺寸硅片的扩散工艺有效
| 申请号： | 202011370206.5 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112582499B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 康海涛;吴中亚;胡燕;杨冬生;郭万武 | 申请（专利权）人： | 中建材浚鑫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 无锡坚恒专利代理事务所(普通合伙) 32348 | 代理人： | 赵贵春 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于多主栅搭配大尺寸硅片的扩散工艺，包括以下步骤：S10沉积；S20恒温推进；S30沉积；S40恒温推进；S50沉积；S60恒温推进；所述步骤S10、步骤S30和步骤S50的沉积温度为750～880℃，步骤S10的沉积温度和步骤S50的沉积温度均小于步骤S30的沉积温度。该适用于多主栅搭配大尺寸硅片的扩散工艺采用多步通源、递进推进方式改善大尺寸硅片扩散方阻均匀性；三次沉积的温度先升后降，保证扩散效率的同时更有利于控制扩散速率、扩散结深和方阻均匀性，并且方便取舟卸片，在后续的生产过程提高晶体硅太阳能电池片的光电转换效率，满足生产和使用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 多主栅 搭配 尺寸 硅片 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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