[发明专利]基于静电力和压阻效应的微型电场传感器件有效
| 申请号： | 202011366740.9 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112505438B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 何金良;胡军;韩志飞;余占清 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 彭一波 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于静电力和压阻效应的微型电场传感器件，包括沿水平方向放置的可以沿垂直方向自由振动的半导体薄膜，所述半导体薄膜下方设有衬底，所述半导体薄膜和衬底之间通过绝缘层连接，所述半导体薄膜中间区域覆盖有金属薄膜，所述半导体薄膜周边区域设有金属电极，所述金属薄膜通过金属电极接地或接电源，所述半导体薄膜的中间区域通过半导体弹簧与周围固定部分连接，所述半导体弹簧上设有压阻材料，所述压阻材料通过所述金属电极连接形成惠斯通桥结构。其有益效果是：本发明的微型电场传感器件体积小，集成度高，分辨率高，响应大，测量幅值范围广，能够实现不同测试环境中直流电场和时变电场的非侵入式测量。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 静电力 效应 微型 电场 传感 器件 | ||
【主权项】：
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