[发明专利]CMP机台的研磨结构在审
| 申请号： | 202011355133.2 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112518574A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 郭志田;瞿治军;夏金伟 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/26 | 分类号： | B24B37/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMP机台的研磨结构，包含研磨垫和研磨盘，研磨盘带动置于其上的研磨垫同步旋转，待加工晶圆放置于研磨垫上随之旋转；所述研磨垫上密布有大量间隔排布的凹槽，凹槽底部还具有通孔，使研磨垫在凹槽处形成正反面的贯穿通道；所述研磨盘上密布有大量通孔，当研磨垫放置于研磨盘上，研磨垫上的凹槽及凹槽下方的通孔能与研磨盘上的大量的通孔任意对接，形成贯穿通道；在所述研磨盘上的大量通孔在研磨盘的底部通过总管道连接到气压调节设备。通过接入的气压调节设备，能形成抽真空或者吹入高压气流的效果，及时抽走研磨垫凹槽中的研磨副产物，或者对研磨垫进行气流冲洗，保证凹槽的蓄涵能力，提高抛光垫的研磨效果，防止晶圆划伤。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 机台 研磨 结构 | ||
【主权项】：
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