[发明专利]一种包覆LiF薄膜的锂负极及其制备方法和应用在审
申请号: | 202011345258.7 | 申请日: | 2020-11-25 |
公开(公告)号: | CN112582614A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 陈锦标;程乙峰;施志聪 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01M4/62 | 分类号: | H01M4/62;H01M4/134;H01M4/1395;H01M10/052;H01M10/42 |
代理公司: | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人: | 彭玉婷 |
地址: | 510062 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于锂金属界面改性技术领域,公开了一种包覆LiF薄膜的锂负极及其制备方法和应用。所述包覆LiF薄膜的锂负极是将氟化剂溶于极性非质子有机溶剂中,密封条件惰性气氛下在25~300℃进行预热,制得氟化剂溶液;然后将抛光后锂片放入氟化剂溶液中,惰性气氛下在25~300℃进行反应;然后用有机溶液清洗,在50~150℃干燥制得。本发明利用氟化剂对锂负极进行氟化处理,在锂负极表面原位生成LiF薄膜,反应结束后用有机溶剂将表面杂质除去而得到致密的LiF膜包覆的锂负极,LiF薄膜有效改善了锂负极的界面特性,抑制了锂枝晶的产生,提高了锂负极在充放电过程中的库伦效率和循环稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 lif 薄膜 负极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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