[发明专利]改善晶圆光刻胶涂布效果的方法在审
申请号: | 202011319116.3 | 申请日: | 2020-11-23 |
公开(公告)号: | CN112415854A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 谷云鹏;吴长明;姚振海;陈骆;孙龙;郭星 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 栾美洁 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种改善晶圆光刻胶涂布效果的方法,包括:旋转晶圆,对晶圆表面进行润湿;点光刻胶;光刻胶回流;控制晶圆进行第一次旋转;控制晶圆进行第二次旋转;控制晶圆进行主转速旋转形成光刻胶层,主转速旋转的主转速小于第一次旋转的转速且小于第二次旋转的转速,主转速旋转的旋转时间大于第一次旋转的旋转时间且大于第二次旋转的旋转时间。本发明将光刻胶成膜的步骤由主转速旋转一个步骤改进为第一次高速旋转、第二次高速旋转和主转速旋转三个步骤,这样可以先借助前两次高速旋转的惯性将光刻胶快速甩开并推向晶圆边缘,然后再降低晶圆转速至主转速,利用主转速控制光刻胶的厚度形成均匀的光刻胶层,从而大幅度增大光刻胶厚度的可调范围。 | ||
搜索关键词: | 改善 圆光 刻胶涂布 效果 方法 | ||
【主权项】:
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