[发明专利]一种MRAM磁隧道结的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202011318813.7 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114530550A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 李佳鹤;杨宇新;彭泰彦;许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 石艳红 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MRAM磁隧道结的刻蚀方法，包括步骤1、采用离子束刻蚀和/或反应离子刻蚀进行刻蚀量为t1的主刻步：离子束的方向角为10~60°，反应离子刻蚀的偏压为400‑1000V；步骤2、刻蚀量为t2的清洗步：采用的反应离子刻蚀的偏压为50V‑400V，脉冲占空比为5%‑50%，t1：t2≥0.5，清洗步完成后，在底电极或底介质层上的刻蚀形貌为方形沟槽；步骤3、原位保护：镀膜进行原位保护。本发明将RIE和IBE刻蚀相结合，通过刻蚀顺序的布设及刻蚀参数的选择，在对小尺寸密集磁隧道结刻蚀效果显著提升的同时，也能适用于非密集磁隧道结的刻蚀。从而解决了密集图形刻蚀时低选择比、低陡直度的问题。进一步，方形刻蚀沟槽，能大幅提高MTJ结的TMR和使用寿命，并消除底部沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mram 隧道 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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