[发明专利]一种氢离子填充孔道的α型二氧化锰及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011317571.X 申请日: 2020-11-23
公开(公告)号: CN112441620B 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 余林;周子昊;杨润农;韩佳锡;高梓寒;蓝邦;孙明 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: C01G45/02 分类号: C01G45/02
代理公司: 广东广信君达律师事务所 44329 代理人: 张燕玲
地址: 510062 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于无机纳米材料合成领域,公开了一种氢离子填充孔道的α型二氧化锰及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤:将锰盐完全溶解于纯水中,随后加入高锰酸盐溶液,超声震荡后室温静置、抽滤、洗涤、干燥,得到无定形氧化锰;将所得无定形氧化锰加入分散至水溶液中,再加入浓硫酸,超声震荡分散均匀后静置反应,随后抽滤、洗涤、干燥,得到氢离子填充孔道的α型二氧化锰。本发明提供的制备方法简单,控制方便,可以进行工业放大生产,制备的氢离子填充孔道的α‑MnO2可以有效避免其它碱性阳离子的干扰,对α‑MnO2应用领域的拓展意义重大。
搜索关键词: 一种 氢离子 填充 孔道 二氧化锰 及其 制备 方法
【主权项】:
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