[发明专利]一种具有氮空位密度的类石墨相氮化碳材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202011311437.9 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112499604A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 贺思如;洪序达;梁栋;郑海荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C01B21/082 | 分类号： | C01B21/082;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本申请公开了一种具有氮空位密度的类石墨相氮化碳材料及其制备方法，属于电子场发射材料制备领域。本申请的制备方法包括：获得类石墨相氮化碳纳米片；将类石墨相氮化碳纳米片置于氢气气氛下还原，获得具有氮空位密度的类石墨相氮化碳材料；或，将类石墨相氮化碳纳米片置于高温下加热，并在加热完成后置于空气中冷却，获得具有氮空位密度的类石墨相氮化碳材料。通过上述方式，本申请能够提高类石墨相氮化碳材料的本征导电率，从而提高g‑C |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 空位 密度 石墨 氮化 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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