[发明专利]一种提高电池转化效率的PECVD机台钝化工艺

摘要

本发明公开了一种提高电池转化效率的PECVD机台钝化工艺，将氮化硅腔体内的工艺带速设为210‑250cm/min，腔体温度设为350‑450℃，工艺压强设为0.23‑0.27mbar；第一根氨气流量设为500‑650sccm，硅烷流量设为300‑400sccm，将氮化硅腔体内第二根氨气流量设为500‑650sccm，硅烷流量设为200‑300sccm，将氮化硅腔体内第三、四、五根气路的氨气流量设为600‑800sccm，硅烷流量设为150‑250sccm；将第六根气路左中右三段氨气的流量分别设置为0‑250sccm、0‑700sccm、0‑250sccm；左中右三段硅烷的流量分别设置为0‑100sccm、0‑250sccm、0‑100sccm；六根气路的射频功率设为3800W，占空比设为8/9；本发明无需对设备进行改进，只需通过对PECVD机台氮化硅腔体的膜层结构进行调整，实现提高电池转换效率的目的。