[发明专利]一种高厚度高强度光固化氮化硅陶瓷及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011272964.3 申请日: 2020-11-13
公开(公告)号: CN114478049A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 潘欢;卢秉恒;鲍崇高;刘荣臻 申请(专利权)人: 西安增材制造国家研究院有限公司
主分类号: C04B38/06 分类号: C04B38/06;C04B35/584;C04B35/622;B33Y70/10;B33Y80/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 安彦彦
地址: 710000 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种高厚度高强度光固化氮化硅陶瓷及其制备方法,制备过程中采用向陶瓷膏料中低温造孔剂PEG,使得在后期的脱脂过程,氮化硅陶瓷的最大脱脂厚度提高至8mm,且脱脂时间仅需60h,脱脂率可达99%以上。本发明通过将PEG在200‑300℃挥发并且留下球形孔洞的特点,首先在氩气气氛下进行高分子的裂解及低温造孔剂的脱除,其中后者可在300℃几乎全部脱除,为后续小分子的逸出提供通道。该过程在陶瓷生坯脱脂过程中预先在坯体中留下通道,利于后续光敏树脂的高温脱出(避免开裂变形,提高极限脱脂厚度)。
搜索关键词: 一种 厚度 强度 光固化 氮化 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
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