[发明专利]一种超临界水制备薄层多孔g-C3有效

专利信息
申请号: 202011257174.8 申请日: 2020-11-11
公开(公告)号: CN112320771B 公开(公告)日: 2021-10-12
发明(设计)人: 李菊英;张月超;钱正芳;丁腾达;钱毅光;高小中;程亚楠;黄晓桐;潘伟杰 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: C01B21/082 分类号: C01B21/082;B01J27/24
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 李莹
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种超临界水制备薄层多孔g‑C3N4的方法,涉及光催化材料制备技术领域。该方法首先将g‑C3N4前驱体置于超临界水中,完成热缩聚,得到初步产物g‑C3N4粉体,再通过升温加压进一步加深水的超临界状态,同时通入气体进行反应,最终得到超薄多孔g‑C3N4。本发明利用超临界水强水解、高膨胀的特性,在同一釜体内分阶段实现超薄多孔g‑C3N4的制备。本发明操作过程中通入惰性气体(氧化气体),可通过层间膨胀剥脱(氧化分解)得到超薄多孔g‑C3N4。本发明操作简单,反应速率快,产物生成率高,在密闭空间内完成材料制备,所得g‑C3N4纯净,可应用于吸附和催化领域。
搜索关键词: 一种 临界 制备 薄层 多孔 base sub
【主权项】:
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