[发明专利]角度抛光装置、晶圆表面损伤深度测量方法有效
| 申请号： | 202011251075.9 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112091798B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 张婉婉;李阳;黄天刚 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B27/00;B24B49/00;B24B49/12;B24B41/06;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;张博 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种角度抛光装置，包括相对设置的第一抛光盘、第二抛光盘和用于固定晶圆样品的多个固定结构；所述固定结构能够使得晶圆样品以预设角度倾斜于所述固定结构的固定面设置；所述第一抛光盘上设置有与多个所述固定结构一一对应的多个抛光孔，每个所述固定结构能够插入对应的所述抛光孔，并使得晶圆样品的待研磨面外露于对应的所述抛光孔；控制结构，用于控制所述第一抛光盘和所述第二抛光盘沿着相反的方向的旋转，以对晶圆样品进行研磨抛光。本发明还涉及一种晶圆表面损伤深度测量方法。 | ||
| 搜索关键词： | 角度 抛光 装置 表面 损伤 深度 测量方法 | ||
【主权项】：
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