[发明专利]一种芯片老化状态监测电路、方法、芯片及服务器有效
| 申请号： | 202011250357.7 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112444732B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 南海卿 | 申请（专利权）人： | 海光信息技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 300000 天津市滨海新区天津华苑*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开一种芯片老化状态监测电路、方法、芯片及服务器，涉及半导体技术领域。包括开关单元、供电电源及振荡器；还包括上拉和/或下拉电路，通过将上拉和/或下拉电路控制端连接于芯片中翻转率最高的动态信号源、保持时间最长的静态信号源及流经电流最大的节点中的至少两个；来监测多种老化现象容易发生的节点，反映在对典型上拉与下拉电路导通性能的影响上，进而影响振荡器的实际供电电压和/或对地电压，振荡器基于输入电压和/或对地电压的变化输出至少对应的两组振荡频率，根据该两组振荡频率就可以确定出当前芯片的老化状态受影响情况，从而便于对芯片受不同类型的老化现象影响进行监测。本发明适用于芯片老化测试、监测及设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 老化 状态 监测 电路 方法 服务器 | ||
【主权项】：
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