[发明专利]一种晶圆剥离方法及晶圆剥离装置有效
| 申请号： | 202011244662.5 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112404697B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 王宏建;赵卫;杨涛;何自坚;王自 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室;中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B23K26/00;B23K26/70 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 余菲 |
| 地址： | 523830 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种晶圆剥离方法及晶圆剥离装置，属于半导体材料技术领域。晶圆剥离方法包括：在晶锭表面形成一层固体冷媒，使用激光束从固体冷媒表面开始加工，激光束作用于固体冷媒表面后，固体冷媒与激光束接触的区域被去除，激光束与晶锭直接接触并在晶锭内部加工出改质点，激光束相对于晶锭运动过程中依次在晶锭内部加工出连续的多个改质点，多个改质点形成改质层，当改质层贯穿于晶锭内部，剥离得到晶圆。每加工完预设面积的改质点或改质层后且激光束运动到下一个待加工改质点的区域后，在裸露的晶锭表面重新形成固体冷媒。固体冷媒能够对激光束作用点周边的未加工区域进行有效保护，增强晶锭内部诱导的内应力，提高剥离晶圆的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 剥离 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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