[发明专利]一种改善晶硅双面电池白点的退火方法有效
| 申请号： | 202011224663.3 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112382702B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 张逸凡;何悦;李文龙;朱太英;金杭 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善晶硅双面电池白点的退火方法，所述退火方法包括以下步骤：(1)进舟；(2)一次抽真空；(3)吹扫；(4)二次抽真空；(5)升温氧化；(6)恒温氧化；(7)回压；(8)出舟；从步骤(2)一次抽真空至步骤(6)恒温氧化前处于持续升温阶段。本发明所述退火方法优化了退火工艺，整个过程中从步骤(2)至步骤(6)前处于持续升温阶段，无需先升温再降温，节省了工艺时间，提高了产能，同时明显减少了双面电池的白点比例，有利于工业化规模生产，具有较好的工业应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 双面 电池 白点 退火 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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