[发明专利]一种多层掩膜分步刻蚀方法在审
| 申请号： | 202011222644.7 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112408314A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 赵坤帅;熊恒;李川;王军强 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 710076 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多层掩膜分步刻蚀方法，包含：将硅片(1)表面制作第一层掩模层(2)，光刻工艺实现第一层图形化(3)，再将其制作第二层掩模层(4)，光刻工艺实现第二层图形化(5)，依此继续制作掩膜层并图形化，多层掩膜制作完成后，进行一次刻蚀，刻蚀至设计深度时，形成刻蚀结构(6)，去除顶层掩模层后进行二次刻蚀，形成第二个刻蚀结构(7)，依此继续去除掩膜并刻蚀，直至形成所有设计结构(8)。本发明采用多层图形掩模，分步刻蚀，在掩模图形化阶段均在平整硅片表面进行工艺操作，有利于涂胶保护，光刻对准，后续分步刻蚀过程中逐层去除掩膜，可控制刻蚀深度，该方法工艺简单，成品率高，可批量生产制作，工艺一致性较强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 分步 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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