[发明专利]一种多层掩膜分步刻蚀方法

权利要求书

1.一种多层掩膜分步刻蚀方法，其特征在于包含以下步骤：

a)在硅片表面制作掩模层，并对掩模层进行光刻，实现第一层掩膜图形的制作；

b)依次继续制作掩膜层，并对掩模层进行光刻，直到实现预定层数的多层掩膜图形的制作为止；

c)多层掩膜图形制作完成后，依次进行结构刻蚀，完成结构刻蚀后去除该层掩膜层，直至形成设计结构。

2.按照权利要求1所述的方法，其中第一层掩模层由通过氧化硅片表面形成的氧化层，或者在硅片表面沉积的氮化硅或二氧化硅构成，其他各层掩模层由沉积的氮化硅或二氧化硅构成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述氧化采用干湿氧工艺，氧化层厚度0.5～2μm。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述沉积采用低压化学气相沉积或等离子增强化学气相沉积。

5.根据权利要求2所述的方法，其中沉积氮化硅厚度50～200nm，二氧化硅厚度0.5～1.5μm。

6.根据权利要求1所述的方法，其中硅片单面或双面刻蚀。

7.根据权利要求1所述的方法，其中刻蚀工艺为干法刻蚀。

8.根据权利要求7所述的方法，其中掩膜层为二氧化硅、金属或者光刻胶，二氧化硅厚度0.5～1.5μm，金属层厚度50～300nm，光刻胶厚度2～15μm。

9.根据权利要求1所述的方法，其中多层掩膜图形的层数为2～4层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中第一次结构刻蚀的深度大于20μm，后续结构刻蚀深度大于1μm。