[发明专利]砷化镓/碳纳米管异质结超薄太阳能电池结构及其制备有效
申请号: | 202011218194.4 | 申请日: | 2020-11-04 |
公开(公告)号: | CN112331774B | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 苏言杰;施祥蕾;周大勇;孙利杰;霍婷婷 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种砷化镓/碳纳米管异质结超薄太阳能电池结构及其制备,其结构为由背反射层、N型砷化镓、P型单壁碳纳米管,图形化金电极、减反射层等组成。电池由以下步骤制备:(1)在超薄外延生长N型砷化镓表面利用光刻技术制备由图形化镍锗金电极与介电层阵列组成的背反射层;(2)采用剥离工艺将沉积有背反射层的超薄N型砷化镓从基底表面剥离,并将其朝上放置;(3)旋涂制备P型单壁碳纳米管薄膜,并依次沉积图形化金电极和减反射层。本发明中砷化镓与单壁碳纳米管同时贡献光电流,利用两者之间超薄耗尽层缩短光生载流子的输运距离。同时,本发明通过图形化背电极和介电材料阵列来增加光子吸收长度,提高光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 砷化镓 纳米 管异质结 超薄 太阳能电池 结构 及其 制备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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