[发明专利]一种用于晶体生长的引晶方法在审
| 申请号： | 202011211500.1 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112359412A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 沈伟民;雷友述 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于晶体生长的引晶方法，包括：第一引晶阶段，坩埚以第一转速旋转，晶体生长至第一长度；第二引晶阶段，所述坩埚的转速由所述第一转速递增至第二转速，当所述坩埚的转速达到所述第二转速时，所述晶体生长至第二长度；第三引晶阶段，所述坩埚以所述第二转速旋转，直至所述晶体生长至目标长度。根据本发明提供的用于晶体生长的引晶方法，通过将引晶工序分为三个阶段，并且在第二阶段随着晶体的生长坩埚的转速递增，以增强硅熔体的对流，保持硅熔体中心的温度不低于引晶开始的温度，从而提高籽晶内部的位错排出率，避免发生断棱多晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
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