[发明专利]一种栅极衬底控制电路、锂电池及其保护芯片的保护装置有效
| 申请号： | 202011206389.7 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112039172B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 蒋锦茂 | 申请（专利权）人： | 苏州赛芯电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 南京常青藤知识产权代理有限公司 32286 | 代理人： | 高远 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅极衬底控制电路、锂电池及其保护芯片的保护装置，栅极衬底控制电路包括多个电平转换电路、多个输入端、第二MOS管、第三MOS管、第二电阻和第四MOS管，第二MOS管的源极和衬底连接VDD端，第二MOS管的漏极与第三MOS管的源极和衬底连接，第二电阻的一端连接第三MOS管的漏极且另一端连接第四MOS管的漏极，第二MOS管的栅极与第四MOS管的栅极连接后连接其中一个电平转换电路的VGATE1N端。本发明通过两个P沟道MOS管串联，来减少每个P沟道MOS管的电压值，从而提高栅极衬底控制电路的抗尖峰电压和耐直流电压的能力，进而提高锂电池保护芯片及其保护装置的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 衬底 控制电路 锂电池 及其 保护 芯片 保护装置 | ||
【主权项】：
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