[发明专利]磁电阻传感器芯片有效
| 申请号： | 202011205282.0 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112363097B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘明;关蒙萌;胡忠强;朱红艳;朱家训 | 申请（专利权）人： | 珠海多创科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 磁电阻传感器芯片，包括：第一感应单元，所述第一感应单元包括由磁电阻组成的惠斯通电桥，其中，一对相对桥臂上的磁电阻被软磁层屏蔽；第二感应单元，所述第二感应单元包括由磁电阻组成的惠斯通电桥，其中，一对相对桥臂上的磁电阻被软磁层屏蔽，另一对相对桥臂上的磁电阻处于偏置磁场中；数据处理单元，所述数据处理单元将所述第一感应单元的输出和所述第二感应单元的输出相除后，输出最终的感应信号。本发明通过设置两个感应单元，一个对外输出与温度和磁场有关的信号，另一个对外输出只与温度有关的信号，通过对两个输出信号进行除法处理，来消除外界温度对传感器芯片的干扰，减小传感器芯片的温漂，使传感器芯片具有更高的准确度和灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 传感器 芯片 | ||
【主权项】：
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