[发明专利]一种用于蚀刻氧化镓铟锌薄膜的氢氟酸蚀刻液及其应用在审
申请号: | 202011190759.2 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112300803A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 王萱;孙中琳;刘尚;刘大铕 | 申请(专利权)人: | 山东华芯半导体有限公司 |
主分类号: | C09K13/08 | 分类号: | C09K13/08;H01L21/465 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
地址: | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开了一种用于蚀刻氧化镓铟锌薄膜的氢氟酸蚀刻液及其应用,氢氟酸的质量百分浓度为0.2~1%,蚀刻温度为室温20~30℃,本发明中的氢氟酸蚀刻液应用于以氧化镓铟锌为沟通层的晶体管或闪存单元的加工过程中,尤其是氧化镓铟锌薄膜作为沟通层沉积在Al |
||
搜索关键词: | 一种 用于 蚀刻 氧化 镓铟锌 薄膜 氢氟酸 及其 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东华芯半导体有限公司,未经山东华芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011190759.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。