[发明专利]芯片级全集成低增益温漂射频放大器有效
| 申请号： | 202011190556.3 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112332786B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 张然 | 申请（专利权）人： | 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所) |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F1/02;H03F3/195 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 刘凯 |
| 地址： | 610036 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开的一种芯片级全集成低增益温漂射频放大器，增益温漂小、能够保证双极型晶体放大管跨导保持相对恒定。本发明通过下述技术方案实现：上电时，负温度系数跨导参考源主电路从处于零电流的非正常工作状态纠正到正常的工作状态，并产生与电阻相关的负温度系数跨导参考电流，PMOS晶体管PM7通过负温度系数跨导参考源主电路上的PMOS晶体管PM2组成电流镜的方式，将负温度系数跨导参考电流复制到正温度系数跨导参考源电路中，负温度系数跨导参考源与正温度系数跨导参考源调节各自的温度系数，并叠加到射频放大器电路的参考电流中，从而实现相对恒定的增益温漂射频放大器。本发明涉及无线通信领域射频收发机中的射频放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 集成 增益 射频放大器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)，未经西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011190556.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
