[发明专利]在晶圆测试过程中检测电子位图中坐标偏移的方法在审

专利信息
申请号: 202011186921.3 申请日: 2020-10-30
公开(公告)号: CN112530823A 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 宋长宇;王天平 申请(专利权)人: 普冉半导体(上海)股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;G01R31/28
代理公司: 上海元好知识产权代理有限公司 31323 代理人: 张妍;周乃鑫
地址: 201210 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种在晶圆测试过程中检测电子位图中坐标偏移的方法,将每道晶圆测试后产生的所有电子位图叠加形成一张叠加电子位图,自动统计叠加电子位图上的叠加测试结果,当叠加测试结果中显示至少一个芯片的前道测试结果为不良品,而后道测试结果为良品,和/或当叠加测试结果中显示了至少一道测试结果,同时至少一个芯片缺少了至少一道测试结果,则判断电子位图出现了坐标偏移。本发明在晶圆测试过程中及时发现并阻止电子位图坐标偏移现象的发生,消除了测试厂的隐患和风险,提高了晶圆测试后的产品良率,大大降低了封装厂挑错芯片的可能性,减少了晶圆损失,减小了晶圆流入市场的风险,提高了量产的合格率。
搜索关键词: 测试 过程 检测 电子 位图 坐标 偏移 方法
【主权项】:
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