[发明专利]一种具有直流故障自清除能力的改进电容型MMC拓扑结构在审
| 申请号： | 202011183008.8 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112350603A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 王渝红;叶葳;罗雍溢;闵杨晰 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387;H02M1/32;H02J3/36 |
| 代理公司： | 成都时誉知识产权代理事务所(普通合伙) 51250 | 代理人： | 何悦 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及直流输电技术领域，公开了一种具有直流故障自清除能力的改进电容型MMC拓扑结构，其中，一种具有直流故障自清除能力的改进电容型MMC拓扑结构，包括多个桥臂，桥臂中包括半桥单元，绝缘栅双极型晶体管及与其反并联的二极管和嵌位电容，利用电容箝位和二极管的反向截止特性，本发明的一种具有直流故障自清除能力的改进电容型MMC拓扑具有清除直流故障的能力，兼具经济性与快速清除正反向直流故障的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 直流 故障 清除 能力 改进 电容 mmc 拓扑 结构 | ||
【主权项】：
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