[发明专利]一种氮化镓晶圆生产工艺参数设计方法在审
| 申请号： | 202011176972.8 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112287543A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李兴丽 | 申请（专利权）人： | 华天科技（西安）有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/14;G06F119/08;G06F119/18 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710018 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓晶圆生产工艺参数设计方法，该方法通过将使用GaN材料生产晶圆时用到的所有参数进行DOE设计，分为贴膜、研磨和划片三个阶段，确定出三个阶段最优化的工艺条件，使得设计出的参数准确且适合生产条件，提高了良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓晶圆 生产工艺 参数 设计 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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