[发明专利]一种半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202011175964.1 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112104335A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 穆苑龙;单伟中;王冲;王大甲;魏有晨 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/64 | 分类号： | H03H9/64 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。利用侧壁垂直或接近垂直的第一光阻层精度控制所形成的牺牲部，从而有利于在水平向上精确控制最终所形成的悬空部的宽度尺寸，以及还进一步利用该第一光阻层执行剥离工艺以形成上电极层，有效避免了上电极层和牺牲部受到表面损伤；并且，基于同一光阻层形成牺牲部和上电极层，还有利于实现上电极层的端部可以自对准的抵接至牺牲部的端部，进一步提高对最终所形成悬空部的形貌的控制精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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