[发明专利]通孔的制造方法有效
| 申请号： | 202011174800.7 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112289740B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 徐建华;鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通孔的制造方法，包括步骤：步骤一、形成通孔开口，通孔开口将层间膜底部的半导体衬底表面露出；步骤二、进行通孔前清洗工艺以去除通孔开口底部的自然氧化层，包括分步骤：步骤21、生长第一氧化层；步骤22、采用溅射刻蚀工艺进行第一次氧化层刻蚀，第一次氧化层刻蚀完成后，通孔开口的底部表面上的氧化层的叠加层的剩余厚度小于侧面剩余的第一氧化层的厚度；步骤23、采用SiCoNi刻蚀工艺进行第二次氧化层刻蚀，第二次氧化层刻蚀对氧化层的刻蚀厚度等于第一氧化层的生长厚度。本发明能同时避免通孔前清洗工艺使对通孔开口底部的半导体衬底表面产生损耗使通孔开口的关键尺寸扩大，能扩大工艺窗口，提高产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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