[发明专利]一种与光刻电极相兼容的本征可拉伸有机场效应晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011167204.6 申请日: 2020-10-26
公开(公告)号: CN112349839B 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 汤庆鑫;童艳红;赵晓丽;任航;张珺默 申请(专利权)人: 东北师范大学
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/40
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 王春霞
地址: 130024 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明公开了与光刻电极相兼容的本征可拉伸有机场效应晶体管及其制备方法。该制备方法,包括如下步骤:在衬底表面上连接十八烷基三氯硅烷;在修饰过的衬底上光刻制备图案化的可拉伸的栅电极和源/漏电极,然后分别旋涂液态弹性体材料,经固化得到内嵌于弹性体中的栅电极层和源/漏电极;在修饰过的衬底上依次旋涂可拉伸的聚合物半导体和液态弹性绝缘材料,经固化得到半导体/绝缘层复合层;栅电极层剥离并贴合到可拉伸半导体/绝缘层复合层上;源/漏电极层从衬底上剥离并贴合到栅电极/半导体/绝缘层复合层上合为整体,即可得到与光刻电极相兼容的本征可拉伸有机场效应晶体管;本发明制备方法可在室温环境下操作,工艺简单迅速易于重复,适合批量化生产。
搜索关键词: 一种 光刻 电极 兼容 拉伸 有机 场效应 晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
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