[发明专利]一种复合基底、复合薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202011133064.0 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112260660B | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 李真宇;杨超;李洋洋;韩智勇;张涛;张秀全 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H9/02;H03H3/08 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提供一种复合基底、复合薄膜及其制备方法和应用，本申请通过在陷阱层‑绝缘层的界面或者陷阱层‑有源层的界面附近，在所述陷阱层一侧增设陷阱增强层，形成陷阱层‑陷阱增强层‑绝缘层或者陷阱层‑陷阱增强层‑有源层的层结构，所述陷阱增强层中掺杂有掺杂原子，使得与所述陷阱层相比，所述陷阱增强层不仅缺陷密度增加，提高PSC抑制效果，从而减少电损耗，而且声速提高，从而增大与绝缘层/有源层的声速差，进而增强声波在绝缘层‑陷阱增强层界面或者有源层‑陷阱增强层界面处的反射作用，减少声波泄露，提高器件的性能，从而通过一步工艺处理实现两种性能改善效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 基底 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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